Diodes公司推出一對(duì)1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6(采用SOT26封裝)和ZXGD3009DY(采用SOT363封裝)可縮減MOSFET的開關(guān)時(shí)間，有助于盡量降低開關(guān)損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。
　　
　　新驅(qū)動(dòng)器作為低功率控制IC的高增益緩沖級(jí)，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動(dòng)電流，從而使功率MOSFET電容負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速充放電功能。驅(qū)動(dòng)器具有超速開關(guān)，而且提供少于5ns的傳遞延遲時(shí)間，以及少于20ns的升降時(shí)間。
　　
　　兩款ZXGD3009系列的產(chǎn)品通過分開的抽灌輸出來(lái)獨(dú)立控制MOSFET的開關(guān)時(shí)間，使MOSFET的工作模式更能滿足應(yīng)用的需求。器件能以正負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，確保功率MOSFET硬關(guān)斷的可靠性。
　　
　　新柵極驅(qū)動(dòng)器備有堅(jiān)固的射極跟隨器，以防止閉鎖和擊穿現(xiàn)象，并能承受高達(dá)2A的峰值電流。兩款產(chǎn)品提供的40V寬廣工作電壓范圍，加上功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)，也使它們能處理遠(yuǎn)超于功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)常見的12V電壓尖峰。